จีนก้าวสู่ตลาด DRAM หลัง YMTC จับมือ CXMT ท้าชิงผู้นำระดับโลก

บริษัท Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC) ของจีน ซึ่งเป็นผู้นำด้านการผลิต 3D NAND Flash กำลังขยายขอบเขตสู่ตลาด DRAM โดยร่วมมือกับ ChangXin Memory Technologies (CXMT) ผู้ผลิต DRAM ชั้นนำของจีน ความเคลื่อนไหวนี้มีเป้าหมายเพื่อลดการพึ่งพาเทคโนโลยีจากต่างชาติและเสริมความแข็งแกร่งในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีน

ตามรายงานจาก WCCFTech การร่วมมือครั้งนี้จะใช้ประโยชน์จากความเชี่ยวชาญของ YMTC ในด้าน NAND Flash และเทคโนโลยี Xtacking ผสานกับความสามารถของ CXMT ในการผลิต DRAM โดยเฉพาะ DDR5 และ LPDDR5X ที่ใช้กระบวนการผลิต 12nm ซึ่ง CXMT ประสบความสำเร็จในการผลิตจำนวนมากในปี 2025 ความร่วมมือนี้คาดว่าจะช่วยเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันของทั้งสองบริษัทในตลาดโลก

ทั้ง YMTC และ CXMT ได้รับการสนับสนุนอย่างแข็งแกร่งจากรัฐบาลจีน โดยมีเงินลงทุนรวมกว่า 686.9 พันล้านหยวน ในช่วงหลายปีที่ผ่านมา การสนับสนุนนี้ช่วยให้ทั้งสองบริษัทสามารถพัฒนาเทคโนโลยีของตนเองได้อย่างรวดเร็ว แม้จะเผชิญกับข้อจำกัดด้านการส่งออกจากสหรัฐฯ โดย YMTC มีเป้าหมายครองส่วนแบ่ง 15% ของตลาด NAND Flash ทั่วโลกภายในปี 2026

ในด้านเทคโนโลยี CXMT ได้เปิดตัว G4 DDR5 DRAM ซึ่งพบใน Gloway 16GBx2 DDR5-6000 UDIMM ถือเป็นครั้งแรกที่ DRAM โหนดขั้นสูงของจีนปรากฏในตลาด แม้ว่าจะยังตามหลังผู้นำอย่าง Samsung, SK hynix และ Micron อยู่ 3 ปี แต่ความก้าวหน้านี้แสดงให้เห็นถึงศักยภาพของจีนในการลดช่องว่างทางเทคโนโลยี

ความร่วมมือนี้ยังมุ่งเน้นการพัฒนาการผลิตที่พึ่งพาอุปกรณ์ในประเทศ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อจำกัดจากสหรัฐฯ โดย YMTC ได้พัฒนาสายการผลิต NAND ที่ใช้เครื่องมือจีนล้วน และวางแผนเพิ่มกำลังการผลิตเป็น 150,000 แผ่นเวเฟอร์ต่อเดือนภายในปี 2025 ซึ่งคิดเป็น 8% ของกำลังการผลิต NAND ทั่วโลก

การเคลื่อนไหวของ YMTC และ CXMT ไม่เพียงแต่ท้าทายผู้นำในอุตสาหกรรมอย่าง Samsung และ SK hynix แต่ยังส่งผลต่อพลวัตของตลาดโลก โดยคาดว่าส่วนแบ่งของจีนในตลาดเซมิคอนดักเตอร์จะเพิ่มจาก 5% ในปี 2023 เป็น 10% ภายในปี 2025